小山 二三夫（40歳・日本）
東京工業大学 精密工学研究所 助教授

大容量光通信のための限界究明と並列光デバイスに関する研究

金光 義彦（39歳・日本）
奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科 助教授

シリコンおよびゲルマニウムメゾスコピック構造の光物性と光エレクトロニクスへの応用

中野 義昭（38歳・日本）
東京大学 大学院工学系研究科 助教授

利得結合分布帰還型半導体レーザに関する国際交流研究

石田 謙司（28歳・日本）
京都大学 大学院工学研究科 電子物性工学専攻

配向制御した機能性有機集合体におけるナノエレクトロニクス観測

金 勲（32歳・韓国）
東京大学 先端科学技術センター 博士課程2年

単電子現象および量子効果デバイスに関する研究

カラガ ムラリ キリシュナ（30歳・インド）
名古屋工業大学 研究センター

カーボンセミコンダクターデバイスに関する研究

ソニア アントランツ コンテラ（27歳・スペイン）
大阪大学産業科学研究所 工学研究科 博士後期課程

DNAのマニピュレーションによって作成した単一DNAワイヤーの伝導特性の研究

薛 光洙（28歳・韓国）
早稲田大学大学院 博士後期課程

SiO₂薄膜中の点欠陥の光学的手法による同定と点欠陥が電気的特性に与える影響の解明

廬 柱享（31歳・韓国）
大阪大学産業科学研究所大学院 博士課程2年

自己形成量子ドット構造の形成機構の解明と量子ドットレーザ特性向上に関する研究

ハラルド プレスラー（29歳・ドイツ）
電子技術総合研究所 外来研究員

超伝導トンネル接合放射線検出器における非平衡超伝導状態

朴 成唆（31歳・韓国）
東京工業大学 精密工学研究所

強誘電体ゲートトランジスタを用いた不揮発性メモリの開発と人口ニューロン集積回路への応用

マーチン バッハ（33歳・チェコ）
電子技術総合研究所 材料科学部 STAフェロー

ナノメートルスケール分光検出に向けて極限光物性と新手法開拓の基礎研究

リム パン ボイ（29歳・マレーシア）
埼玉大学大学院 博士後期課程

ヘテログラニュラー構造をもつ高抵抗軟磁性薄膜材料のウエット製膜と超高周波マイクロ磁気デバイスへの応用