平成13年3月13日（火）、第4回となる平成12年度の助成・表彰は、「LSI,LSIシステム」「光エレクトロニクス」「先端デバイス」のいずれかの分野に従事している研究者を対象に公募・選考し、4部門合計55名の国内外研究者に対して総額2,750万円の助成金・表彰金を贈呈しました。
■ 研究業績表彰 総額500万円
我が国の大学、国公立研究所等の研究機関において、研究交流に基づき顕著な業績をあげつつある研究者を表彰するものです。
（敬称略）
丸文学術賞
（賞状、賞金 200万円および記念品 受賞者1名）
天野 浩（40歳・日本）
名城大学 理工学部 助教授
III族窒化物半導体結晶の高品質化・伝導性制御及び諸物性の解明
丸文研究奨励賞
（賞状、賞金 100万円および記念品
受賞者3名/賞金合計300万円）
香取 秀俊（36歳・日本）
東京大学 工学部附属総合試験所 助教授
アルカリ土類原子の極低温･高密度レーザ冷却法の開発
川崎 雅司（39歳・日本）
東京工業大学 大学院総合理工学研究科 助教授
酸化亜鉛の精密エピタキシーと紫外レーザ発振
田畑 仁（36歳・日本）
大阪大学 産業科学研究所 助教授
レーザMBE法による強誘電体/強磁性体機能調和人工格子の創成
■ 交流研究助成
満年齢原則35歳以下： 受領者11名/助成金合計1,500万円
我が国の大学、国公立研究所等の研究機関が、研究交流を目的として海外から受け入れる外国人研究者、もしくは海外へ派遣する日本人研究者の研究費等を助成するものです。
（敬称略）
李 啓山（31歳・韓国）
慶應義塾大学 理工学部 博士課程2年
室内無線LANのためのDS/CDMA信号のTDD伝送を用いた最適なセクターアンテナ送信機
ラマヌジャン クマレサン（31歳・インド）
名古屋工業大学 研究留学生
光化学堆積法による光電変換素子用化合物半導体の結晶成長
高 在賢（32歳・韓国）
筑波大学 物質工学系 助手
鉛系複合ペロブスカイト構造強誘電体リラクサーの非線形性と圧電特性研究
ブニア サッタバン（31歳・インド）
電気通信大学 サテライトベンチャー ビジネスラボラトリー 非常勤研究員
次世代量子デバイスのための放射光を用いた化合物半導体MOCVD成長その場観察の研究
薛 其貞（30歳・中国）
東北大学 金属材料研究所 助手
低温超高真空BEEMを用いた金属-GaN界面における電子透過メカニズムの解明
田井野 徹（27歳・日本）
九州大学 大学院エネルギー量子工学専攻 博士課程2年
マイクロストリップコイル集積型超伝導トンネル接合素子を用いたX線検出システムの開発に関する研究
蔡 容基（34歳・韓国）
東京大学 大学院金属工学専攻 リサーチアソシエイト
熱プラズマCVD法による太陽電池用Si薄膜の超高速堆積
張 志豪（33歳・韓国）
東北大学 金属材料研究所 博士課程3年
ZnTeをベースとした純緑色半導体レーザの開発
孟 志葱（30歳・中国）
九州大学 システム情報科学研究院 助手
希土類共添加Er：フッ化物ガラスの光学特性とファイバーレーザへの応用
劉 華山（31歳・中国）
東北大学 未来科学技術共同研究センター RF
エレクトロニクス実装におけるマイクロソルダー合金熱力学データベースの構築
王 華兵（32歳・中国）
東北大学 電気通信研究所 JST派遣研究員
超伝導単結晶固有ジョセフソン接合によるミリ波サブミリ波発光及び検出素子
■ 国際交流助成（海外旅費）
受領者30名/助成金額550万円を助成しました。
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■ 産学官交流助成（国内旅費）
受領者10名/助成金額200万円を助成しました。
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