平成15年3月5日（水）、第6回となる平成14年度の助成・表彰は、「LSI素子技術・LSIシステム」「光エレクトロニクス」「先端デバイス・ナノ技術」のいずれかの分野に従事している研究者を対象に公募・選考し、5部門合計56名の国内外研究者に対して総額3,008.9万円の助成金・表彰金を贈呈しました。
■ 研究業績表彰 総額700万円
我が国の大学、国公立研究所等の研究機関において、研究交流に基づき顕著な業績をあげつつある研究者を表彰するものです。
（敬称略）
丸文学術賞
（賞状、賞金 250万円および記念品 受賞者1名）
秋永 広幸（38歳・日本）
産業技術総合研究所 先進ナノ構造 グループ長
強磁性金属/半導体ハイブリッド構造作製技術の開発と磁気抵抗スイッチ効果の発見
丸文研究奨励賞
（賞状、賞金 150万円および記念品
受賞者3名/賞金合計450万円）
平山 秀樹（36歳・日本）
理化学研究所 研究員
III族窒化物4元混晶を用いた深紫外・高輝度LEDの研究
王 華兵（34歳・中国）
東北大学 電気通信研究所 助教授
高温超伝導単結晶集積回路とテラヘルツデバイスの開発
田部 勢津久（39歳・日本）
京都大学 総合人間学部 助教授
広帯域化を可能とする通信光増幅器用希土類含有ガラス材料の設計
■ 交流研究助成
満年齢原則35歳以下： 受領者10名/助成金合計1,400万円
我が国の大学、国公立研究所等の研究機関が、研究交流を目的として海外から受け入れる外国人研究者、もしくは海外へ派遣する日本人研究者の研究費等を助成するものです。
（敬称略）
方 炯軫（30歳・韓国）
筑波大学 大学院物理工学系 工学研究科 博士課程
希土類添加半導体の光物性の研究と光素子への応用
高 恒柱（36歳・韓国）
東北大学 金属材料研究所 研究員・ポスドク
エキシントンデバイスに向けた高品質P-系ZnOの新しいドーピング技術の開発
福村 知昭（33歳・日本）
東北大学 金属材料研究所 助手
機能性酸化物と有機デバイスの融合
リフキ ムヒダ（32歳・インドネシア）
大阪大学 大学院工学研究科 博士後期課程
表面ナノ構造をベースとしたスピン機能材料の解析と設計
ナズムル モハッモド アーサン（30歳・バングラデシュ）
東京大学 大学院工学系研究科 博士研究員JST
MnδドープGaAs薄膜をベースとした磁性半導体ヘテロ構造のエピタキシャル成長と物性
ジェローズ ベルナール（33歳・フランス）
東京農工大学 工学部 研究員
ナノ結晶シリコンのEL効率及び安定性の向上に関する研究
ンジャーユ シェーク（27歳・セネガル）
東北大学 大学院工学研究科 修士課程
周波数シフト帰還型レーザーに関する研究
劉 冠廷（33歳・台湾）
国立成功大学 微電子工程研究所 博士課程
MBE成長GaN、AlGaNの高品質化の研究
具 本宰（37歳・韓国）
東京工業大学 大学院総合理工学研究科 博士課程
BLTキャパシタ対を用いる不揮発性1T2C型強誘電体メモリに関する研究
クルシュ アルミラ B.（28歳・フィリピン）
電気通信大学 大学院電気通信学研究科 博士後期課程
表面改質による高効率MnドープZnSナノ粒子の作製と評価
■ 国際交流助成（海外旅費）
受領者33名/助成金額683.9万円を助成しました。
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■ 産学官交流助成（国内旅費）
受領者9名/助成金額225万円を助成しました。
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