ICAMD (International Conference on Advanced Materials and Devices) は今回で10回目の開催となる、応用物理学とその周辺分野に関する著名な国際会議である。済州島のラマダプラザホテルにて開催された今回の会議には、韓国や中国、ヨーロッパ各国等から多くの研究者が参加した。本会議は、スピントロニクスやバイオエレクトロニクス、ナノマテリアル、有機物などの幅広い研究対象を扱い、応用物理学における最新研究情報を発信、交換することを目的とする。企業参加ブースも展開されており、微細加工技術、測定技術に関する企業が多数出展した。
発表者は、ワイドギャップ半導体であり反強磁性体としての性質も持つ、NiO 薄膜を用いた新奇ナノデバイスの実現を目指した研究を行っている。これまでに、強磁性金属/NiO の二層膜を作製し、その際に電流や電場によって生じるスピンダイナミクスの変調や光学的特性などを調べてきており、これまでに学会で報告している。ごく最近、この研究過程において、極めて集中的に電流を流すことのできる新奇な素子構造の作製プロセスを確立し、更に、金属層の局所的な発熱を用いて、大きな抵抗変化をもたらすデバイスの実現に成功した。
本国際会議においては、「Resistive switching in planar metal/metal-oxide bilayer system with low voltage operation」の題目にてポスター発表を行い、近隣分野の研究者と、金属/金属酸化物の二層膜における抵抗変化現象について議論を交わした。
応用物理学の国際会議ということもあり、技術応用に特化した発表が多く、工学的な会議を経験したことのなかった発表者にとっては、新鮮で非常に興味をそそられる内容が多い会議であった。
また、ポスター発表の際、メモリスタ分野の専門家の観点から、ヒステリシスを伴う抵抗変化現象に関する意見をいただけたことは、今後の研究課題を再考するうえで非常に有意であった。
最後になりましたが、本会議への参加にあたり、多大なるご支援を賜りました、一般財団法人丸文財団に心より感謝を申し上げます。
