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過去の受賞・受領者

交流研究助成受領者

交流研究助成は、日本の大学および公的研究所等の研究機関に所属し、海外から来日して研究している外国人、海外の大学および公的研究機関へ派遣される日本人の交流研究又は共同研究に参加する若手研究者の研究費等を助成するものです。

平成18年度受領者

■ 選考対象の技術分野

  1. LSI素子技術・LSIシステム
  2. 光エレクトロニクス
  3. ナノ技術・先端デバイス
  4. 環境・バイオエレクトロニクス

(満年齢原則35歳以下:受領者14名/助成金合計2,000万円)

(敬称略)
研究者名(年令・出身国名) 研究機関名 研究題目
ムルガナタン マノハラン
(27歳・インド)
東京工業大学大学院理工学研究科
電子物理工学専攻 博士課程
高速超高感度電荷検出素子としてのシリコンRF単電子トランジスタの研究
佐藤 裕崇
(29歳・日本)
早稲田大学 理工学術院 助手 電気化学的ナノ・マイクロプロセスを用いた昆虫ハイブリッドMEMSの構築
谷口 雄一
(27歳・日本)
ハーバード大学 化学・生物化学部
ポスドク
普遍的な生命現象の分子論的理解を目指した生体ナノイメージング技術の技術開発
ロマン タングラウ
アバット
(24歳・フィリピン)
大阪大学大学院学研究科
博士課程
バイオナノ構造体に関する理論的研究
夏 金松
(30歳・中国)
武蔵工業大学 総合研究所 研究員 シリコン系発光体の開発と光共振器との融合に関する研究
スクリーン ハナ
ビンティ ヘルマン
(31歳・マレーシア)
北陸先端科学技術大学院大学
マテリアルサイエンス研究科
博士課程
種結晶層用多結晶YSZ薄膜を用いたガラス基板上へのpoly-Si TFTの低温作製と評価
ディグナ, リナ J.
(25歳・インドネシア)
電気通信大学大学院電気通信学研究科 博士課程 光電変換の高効率化に向けた、フォトニックTiO2光電極上半導体・金属量子ドットの分光増感特性と過度応答評価
李 孝鍾
(32歳・韓国)
東北大学
学際科学国際高等研究センター
助手
金属窒化物バッファー層を用いた低欠陥、高品質GaN薄膜成長
アリィ ナビエ フォウダ
(32歳・エジプト)
筑波大学 物理工学系 博士課程 HWPS法による多機能酸化膜の設計と製作
渋谷 圭介
(28歳・日本)
ユーリッヒ研究センター 客員研究員 二次元超構造転位を用いた抵抗スイッチ機構の解明
佐藤 明宏
(28歳・日本)
ヨハネスグーテンベルク大学
マックスプランク高分子研究所
博士課程
陽極酸化ポーラスアルミナ細孔中での分子の1次元拡散とハイパーソニックバンドギャップに関する研究
辺 培
(31歳・中国)
埼玉工業大学 先端科学研究所
特別研究員
ナノ磁性超微粒子表面における超撥水高分子膜のコーティングに関する研究
金 倉満
(32歳・韓国)
早稲田大学 電気・情報生命工学科
理工学総合研究センター
嘱託研究員
金属―絶縁体転移物質VO2の電子構造及び輸送特性の研究
スワリー スラプラ
パピッチ
(25歳・タイ)
チュラルンコン大学 ポスドク InAS/GaAs量子ドットの電気的光学的特性

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