李 洪革（33歳・中国）
東北大学 大学院電気通信研究所 博士課程

確率過程が導入された集積化、能動化連想システムに関する研究

大越 昌幸（36歳・日本）
防衛大学校 電気情報学群 電気電子工学科 助教授

真空紫外F2レーザーによるシリコーン膜のガラス化と光デバイスへの応用

ナグラ ファシー アブド エルファタ（28歳・エジプト）
名古屋工業大学 大学院工学研究科 機能工学専攻 博士課程

電気化学堆積法によるZnS/SnS薄膜太陽電池の作製

関根 徳彦（32歳・日本）
東京大学 生産技術研究所 助手

量子カスケードレザー構造中のキャリアダイナミクスとテラヘルツ光源応用に関する研究

ナズムル イスラム（29歳・バングラデシュ）
山梨大学 工学部附属クリスタル科 学研究センター 非常勤研究員

超伝導ナノ結合電子デバイスおよび最先端デバイス

黄 河激（27歳・中国）
東京大学 大学院工学系研究科 マテリアル工学専攻 博士課程

新規熱及び放射遮蔽ナノコンポジットコーティング開発

丁 彬（28歳・中国）
慶應義塾大学 大学院理工学部 博士課程

エレクトロスピンナノワイヤーを用いた生分解性薄膜のバイオ医用への検討

ダス サラバヌ（27歳・バングラデシュ）
東京工業大学 大学院理工学研究科 電子物理工学専攻 博士課程

強磁性ホール効果による垂直磁気記録媒体用新しい評価手法の開発

金 奎相（30歳・韓国）
東京工業大学 精密工学研究所 ポスドク

マイクロチップ青色･緑色面発光レーザの研究

戸塚 弘毅（31歳・日本）
東京工業大学 大学院総合理工学研究科 特別研究員

近接場光による精密原子操作

サン ツィガング（34歳・中国）
産業技術総合研究所 ナノテクノロジー研究部門 外国人特別研究員

磁気抵抗スイッチ効果とその磁場センサーへの応用へ向けた研究

呉 東哲（33歳・韓国）
東北大学 金属材料研究所 博士課程

顕微ICTS法及び顕微PHCAP法の開発とZnO薄膜とGan薄膜中の深い準位に関する研究への応用