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過去の受賞・受領者

交流研究助成受領者

交流研究助成は、日本の大学および公的研究所等の研究機関に所属し、海外から来日して研究している外国人、海外の大学および公的研究機関へ派遣される日本人の交流研究又は共同研究に参加する若手研究者の研究費等を助成するものです。

平成14年度受領者

■ 選考対象の技術分野

  1. LSI素子技術・LSIシステム
  2. 光エレクトロニクス
  3. 先端デバイス・ナノ技術

(満年齢原則35歳以下:受領者10名/助成金合計1,400万円)

(敬称略)
研究者名(年令・出身国名) 研究機関名 研究題目
方 炯軫 方 炯軫
バン ヒュンジン
(30歳・韓国)
筑波大学大学院物理工学系
工学研究科 博士課程
希土類添加半導体の光物性の研究と光素子への応用
高 恒柱 高 恒柱
ゴ ハンジュ
(36歳・韓国)
東北大学 金属材料研究所
研究員・ポスドク
エキシントンデバイスに向けた高品質P-系ZnOの新しいドーピング技術の開発
福村 知昭 福村 知昭
(33歳・日本)
東北大学 金属材料研究所 助手 機能性酸化物と有機デバイスの融合
リフキ ムヒダ リフキ ムヒダ
(32歳・インドネシア)
大阪大学大学院工学研究科
博士後期課程
表面ナノ構造をベースとしたスピン機能材料の解析と設計
ナズムル モハッモド アーサン ナズムル モハッモド
アーサン
(30歳・バングラデシュ)
東京大学大学院工学系研究科
博士研究員JST
MnδドープGaAs薄膜をベースとした磁性半導体ヘテロ構造のエピタキシャル成長と物性
Gelloz Bernard Gelloz Bernard
ジェローズ ベルナール
(33歳・フランス)
東京農工大学 工学部 研究員 ナノ結晶シリコンのEL効率及び安定性の向上に関する研究
ンジャーユ シェーク ンジャーユ シェーク
(27歳・セネガル)
東北大学大学院工学研究科
修士課程
周波数シフト帰還型レーザーに関する研究
劉 冠廷 劉 冠廷
リュウ クァンティン
(33歳・台湾)
国立成功大学 微電子工程研究所
博士課程
MBE成長GaN、AlGaNの高品質化の研究
具 本宰 具 本宰
グ ボンジェー
(37歳・韓国)
東京工業大学大学院総合理工学研究科 博士課程 BLTキャパシタ対を用いる不揮発性1T2C型強誘電体メモリに関する研究
クルシュ アルミラ B. クルシュ アルミラ B.
(28歳・フィリピン)
電気通信大学大学院電気通信学研究科 博士後期課程 表面改質による高効率MnドープZnSナノ粒子の作製と評価

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