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過去の受賞・受領者

交流研究助成受領者

交流研究助成は、日本の大学および公的研究所等の研究機関に所属し、海外から来日して研究している外国人、海外の大学および公的研究機関へ派遣される日本人の交流研究又は共同研究に参加する若手研究者の研究費等を助成するものです。

平成13年度受領者

■ 選考対象の技術分野

  1. LSI, LSIシステム
  2. 光エレクトロニクス
  3. 先端デバイス

(満年齢原則35歳以下:受領者11名/助成金合計1,500万円)

(敬称略)
研究者名(年令・出身国名) 研究機関名 研究題目
林 載元 林 載元
イム ジェウォン
(29歳・韓国)
東北大学 多元物質科学研究所
博士課程
イオンビームデポジション法によるULSI配線用銅薄膜の特性制御
李輝宰 李 輝宰
イ フィゼ
(30歳・韓国)
大阪大学大学院産業科学研究所
博士課程
T1InGaAsNの成長と物性評価、レーザ応用に関する研究
尾上 貴弘
(28歳・日本)
早稲田大学 理工学総合研究センター ポストドクター 高磁気異方性材料の微細構造制御手法の確立とその垂直磁気記録媒体への応用
Dino,Wilson Agerico Tan Diño, Wilson Agerico Tan
ディニョ ウイルソン
アジェリコ タン
(32歳・フィリピン)
東京大学 生産技術研究所
研究機関研究員
水素のダイナミクスと物性に関する研究
平塚 眞彦
(29歳・日本)
東北大学大学院
東北大学内地研修員
人工触媒素子に基づく超並列分子コンピューティングシステムに関する研究
皇 甫俊 皇 甫俊
ファン フウジュン
(33歳・中国)
名古屋大学大学院工学研究科
博士課程
ポリスチレン微小球と薄膜光導波路からなる立体交差光導波路に関する研究
Hossain,Faruque Hossain, Faruque
ホサイン ファルク
(33歳・バングラデシュ)
東京工業大学大学院総合理工学研究科 博士課程 酸化亜鉛透明トランジスタのデバイスシミュレーションと開発
森武 洋 森武 洋
(33歳・日本)
防衛大学校 電気電子工学科 講師 V字型スイッチングを示す強誘電性液晶のスイッチング機構の解明及びその表示デバイスへの応用に関する研究
Juhasz Gergely Juhasz Gergely
ユーハス ゲルゲリ
(26歳・ハンガリー)
九州大学大学院理学研究院
研究生
次世代型光スイッチングデバイスの開発
楊杭生 楊 杭生
ヨウ コウセイ
(34歳・中国)
東京大学大学院工学系研究科
博士課程
低圧ICP-CVD法による高品質cBN薄膜堆積
梁 佳旗
リョウ カキ
(32歳・中国)
電気通信大学 サテライト・ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー
非常勤研究員
光ファイバーのエバネッセント場を用いた核スピンの制御と応用

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