研究業績表彰受賞・交流研究助成受領者

平成13年度 助成および表彰

平成14年3月7日(木)、第5回となる平成13年度の助成・表彰は、「LSI,LSIシステム」「光エレクトロニクス」「先端デバイス」のいずれかの分野に従事している研究者を対象に公募・選考し、4部門合計57名の国内外研究者に対して総額3,050万円の助成金・表彰金を贈呈しました。

研究業績表彰 総額700万円

我が国の大学、国公立研究所等の研究機関において、研究交流に基づき顕著な業績をあげつつある研究者を表彰するものです。

(敬称略)

丸文学術賞
(賞状、賞金 250万円および記念品 受賞者1名)

木塚 徳志(38歳・日本)
筑波大学 物質工学系 助教授

原子スケールでの動的観察・操作手法の開発とナノ構造形成ダイナミックスの研究

丸文研究奨励賞
(賞状、賞金 150万円および記念品
 受賞者3名/賞金合計450万円)

川瀬 晃道(35歳・日本)
理化学研究所 独立主幹研究員

非線形光学効果を用いた広帯域波長可変コヒーレントテラヘルツ波発生の先駆的研究

田中 雅明(40歳・日本)
東京大学 大学院工学系研究科 助教授

半導体スピンエレクトロニクスに向けた複合エピタキシャルへテロ構造の創製

渡辺 正裕(37歳・日本)
東京工業大学 大学院総合理工学研究科 助教授

金属/絶縁体/半導体ヘテロ超格子の形成とその量子効果デバイス応用に関する研究

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交流研究助成
 満年齢原則35歳以下: 受領者11名/助成金合計1,500万円

我が国の大学、国公立研究所等の研究機関が、研究交流を目的として海外から受け入れる外国人研究者、もしくは海外へ派遣する日本人研究者の研究費等を助成するものです。

(敬称略)

林 載元(29歳・韓国)
東北大学 多元物質科学研究所 博士課程

イオンビームデポジション法によるULSI配線用銅薄膜の特性制御

李 輝宰(30歳・韓国)
大阪大学 大学院産業科学研究所 博士課程

T1InGaAsNの成長と物性評価、レーザ応用に関する研究

尾上 貴弘(28歳・日本)
早稲田大学 理工学総合研究センター ポストドクター

高磁気異方性材料の微細構造制御手法の確立とその垂直磁気記録媒体への応用

ディニョ ウイルソン アジェリコ タン(32歳・フィリピン)
東京大学 生産技術研究所 研究機関研究員

水素のダイナミクスと物性に関する研究

平塚 眞彦(29歳・日本)
東北大学大学院 東北大学内地研修員

人工触媒素子に基づく超並列分子コンピューティングシステムに関する研究

皇 甫俊(33歳・中国)
名古屋大学 大学院工学研究科 博士課程

ポリスチレン微小球と薄膜光導波路からなる立体交差光導波路に関する研究

ホサイン ファルク(33歳・バングラデシュ)
東京工業大学 大学院総合理工学研究科 博士課程

酸化亜鉛透明トランジスタのデバイスシミュレーションと開発

森武 洋(33歳・日本)
防衛大学校 電気電子工学科 講師

V字型スイッチングを示す強誘電性液晶のスイッチング機構の解明及びその表示デバイスへの応用に関する研究

ユーハス ゲルゲリ(26歳・ハンガリー)
九州大学 大学院理学研究院 研究生

次世代型光スイッチングデバイスの開発

楊 杭生(34歳・中国)
東京大学 大学院工学系研究科 博士課程

低圧ICP-CVD法による高品質cBN薄膜堆積

梁 佳旗(32歳・中国)
電気通信大学 サテライト・ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー 非常勤研究員

光ファイバーのエバネッセント場を用いた核スピンの制御と応用

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国際交流助成(海外旅費)
 受領者31名/助成金額600万円を助成しました。
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産学官交流助成(国内旅費)
 受領者11名/助成金額250万円を助成しました。
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