林 載元（29歳・韓国）
東北大学 多元物質科学研究所 博士課程

イオンビームデポジション法によるULSI配線用銅薄膜の特性制御

李 輝宰（30歳・韓国）
大阪大学 大学院産業科学研究所 博士課程

T1InGaAsNの成長と物性評価、レーザ応用に関する研究

尾上 貴弘（28歳・日本）
早稲田大学 理工学総合研究センター ポストドクター

高磁気異方性材料の微細構造制御手法の確立とその垂直磁気記録媒体への応用

ディニョ ウイルソン アジェリコ タン（32歳・フィリピン）
東京大学 生産技術研究所 研究機関研究員

水素のダイナミクスと物性に関する研究

平塚 眞彦（29歳・日本）
東北大学大学院 東北大学内地研修員

人工触媒素子に基づく超並列分子コンピューティングシステムに関する研究

皇 甫俊（33歳・中国）
名古屋大学 大学院工学研究科 博士課程

ポリスチレン微小球と薄膜光導波路からなる立体交差光導波路に関する研究

ホサイン ファルク（33歳・バングラデシュ）
東京工業大学 大学院総合理工学研究科 博士課程

酸化亜鉛透明トランジスタのデバイスシミュレーションと開発

森武 洋（33歳・日本）
防衛大学校 電気電子工学科 講師

V字型スイッチングを示す強誘電性液晶のスイッチング機構の解明及びその表示デバイスへの応用に関する研究

ユーハス ゲルゲリ（26歳・ハンガリー）
九州大学 大学院理学研究院 研究生

次世代型光スイッチングデバイスの開発

楊 杭生（34歳・中国）
東京大学 大学院工学系研究科 博士課程

低圧ICP-CVD法による高品質cBN薄膜堆積

梁 佳旗（32歳・中国）
電気通信大学 サテライト・ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー 非常勤研究員

光ファイバーのエバネッセント場を用いた核スピンの制御と応用