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過去の受賞・受領者

交流研究助成受領者

交流研究助成は、日本の大学および公的研究所等の研究機関に所属し、海外から来日して研究している外国人、海外の大学および公的研究機関へ派遣される日本人の交流研究又は共同研究に参加する若手研究者の研究費等を助成するものです。

平成12年度受領者

■ 選考対象の技術分野

  1. LSI, LSIシステム
  2. 光エレクトロニクス
  3. 先端デバイス

(満年齢原則35歳以下:受領者11名/助成金合計1,500万円)

(敬称略)
研究者名(年令・出身国名) 研究機関名 研究題目
李 啓山
(31歳・韓国)
慶應義塾大学 理工学部
博士課程2年
室内無線LANのためのDS/CDMA信号のTDD伝送を用いた最適なセクターアンテナ送信機
Ramanujam Kumaresan
ラマヌジャン クマレサン
(31歳・インド)
名古屋工業大学 研究留学生 光化学堆積法による光電変換素子用化合物半導体の結晶成長
高 在賢
(32歳・韓国)
筑波大学 物質工学系 助手 鉛系複合ペロブスカイト構造強誘電体リラクサーの非線形性と圧電特性研究
Bhunia Satyaban
ブニア サッタバン
(31歳・インド)
電気通信大学 サテライトベンチャー ビジネスラボラトリー 非常勤研究員 次世代量子デバイスのための放射光を用いた化合物半導体MOCVD成長その場観察の研究
薛 其貞
(30歳・中国)
東北大学 金属材料研究所 助手 低温超高真空BEEMを用いた金属?GaN界面における電子透過メカニズムの解明
田井野 徹
(27歳・日本)
九州大学大学院エネルギー量子工学専攻 博士課程2年 マイクロストリップコイル集積型超伝導トンネル接合素子を用いたX線検出システムの開発に関する研究
蔡 容基
(34歳・韓国)
東京大学大学院金属工学専攻
リサーチアソシエイト
熱プラズマCVD法による太陽電池用Si薄膜の超高速堆積
張 志豪
(33歳・韓国)
東北大学 金属材料研究所
博士課程3年
ZnTeをベースとした純緑色半導体レーザの開発
孟 志葱
(30歳・中国)
九州大学 システム情報科学研究院
助手
希土類共添加Er:フッ化物ガラスの光学特性とファイバーレーザへの応用
劉 華山
(31歳・中国)
東北大学
未来科学技術共同研究センター RF
エレクトロニクス実装におけるマイクロソルダー合金熱力学データベースの構築
王 華兵
(32歳・中国)
東北大学 電気通信研究所
JST派遣研究員
超伝導単結晶固有ジョセフソン接合によるミリ波サブミリ波発光及び検出素子

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