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過去の受賞・受領者

交流研究助成受領者

交流研究助成は、日本の大学および公的研究所等の研究機関に所属し、海外から来日して研究している外国人、海外の大学および公的研究機関へ派遣される日本人の交流研究又は共同研究に参加する若手研究者の研究費等を助成するものです。

平成11年度受領者

■ 選考対象の技術分野

  1. 先端デバイス
  2. システムLSI
  3. 光エレクトロニクス

(満年齢原則35歳以下:受領者12名/助成金合計1,500万円)

(敬称略)
研究者名(年令・出身国名) 研究機関名 研究題目
伊藤 治彦
(32歳・日本)
名古屋市工業研究所 研究員
名古屋大学と交流研究
ラジカル制御技術を用いた新しいダイヤモンド薄膜形成とそのフラットパネル・ディスプレイデバイスへの応用
川崎 宏治
(33歳・日本)
理化学研究所 半導体工学研究室
共同研究員
極微細結合量子ドットを用いた量子ビットの形成と量子相関デバイスの作製と応用に関する研究
金 相宰
キム サンジェ
(33歳・韓国)
東北大学 電気通信研究所
JST派遣研究員
積層構造を用いた単電子トンネル現象の研究
顧 忠沢
グ チュウタク
(31歳・中国)
(財)神奈川科学技術アカデミー
光科学重点研究室 研究員
光スイッチング機能を有する分子性金属、分子性超伝導の開発
Kundu Manisha
クンドウ マニシャ
(33歳・インド)
電気通信大学 サテライトベンチャービジネスラボラトリー 研究員 Ni(111)およびSi(001)基板上のSiO2単結晶薄膜の作製
沈 旭強
シン キョクキョウ
(35歳・中国)
電子技術総合研究所 材料科学部
産業技術研究員
分子線エピタキシー法による窒化物半導体電子デバイスの作製に関する研究
張 守進
チャン シュージム
(38歳・台湾)
東京大学 先端科学技術研究センター フォトニクス材料分野
客員研究員
SiGe/Siヘテロ構造を用いた超高速光・電子デバイス材料に関する研究
趙 聖学
チョウ ソンハク
(30歳・韓国)
理化学研究所
レーザ物理工学研究室(JRA)
高強度フェムト秒レーザ誘起プラズマチャネリングによる新しい光デバイスの開発
張 鳳遠
チョウ ホウエン
(33歳・中国)
名古屋大学大学院 ベンチャービジネスラボラトリー 研究員 半導体レーザ吸収分光法による極超音速流状態量の高速同時計測
Bruce J. Hinds
ブルース J. ハインズ
(31歳・アメリカ)
東京工業大学 量子効果エレクトロニクス研究センター JST 特別研究員 ダブルゲートトレンチ構造ナノ結晶シリコン単電子メモリの研究
尹 聖民
ユン ソンミン
(29歳・韓国)
東京工業大学大学院総合理工学研究科 電子システム専攻 強誘電体ゲートFETを用いた適応学習型ニューロン回路の作製に関する研究
Luculescu Catalin Romeo
ルクレスク カタリン ロメオ
(27歳・ルーマニア)
東北大学 素材工学研究所
研究所等研究員
レーザアブレーション法による次世代窒化物半導体材料開発と素子応用の研究

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