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過去の受賞・受領者

交流研究助成受領者

交流研究助成は、日本の大学および公的研究所等の研究機関に所属し、海外から来日して研究している外国人、海外の大学および公的研究機関へ派遣される日本人の交流研究又は共同研究に参加する若手研究者の研究費等を助成するものです。

平成9年度受領者

■ 選考対象の技術分野

  1. 先端デバイス
  2. システムLSI
  3. 光エレクトロニクス

(満年齢原則35歳以下:受領者10名/助成金合計1,500万円)

(敬称略)
研究者名(年令・出身国名) 研究機関名 研究題目
石田 謙司
(28歳・日本)
京都大学大学院工学研究科
電子物性工学専攻
配向制御した機能性有機集合体におけるナノエレクトロニクス観測
金 勲
キム フン
(32歳・韓国)
東京大学先端科学技術センター
博士課程2年
単電子現象および量子効果デバイスに関する研究
Kalaga Murai Krishna
カラガ ムラリ キリシュナ
(30歳・インド)
名古屋工業大学 研究センター カーボンセミコンダクターデバイスに関する研究
Sonia Antoranz Contera
ソニア アントランツ コンテラ
(27歳・スペイン)
大阪大学産業科学研究所
工学研究科 博士後期課程
DNAのマニピュレーションによって作成した単一DNAワイヤーの伝導特性の研究
薛 光洙
ソル クァンスー
(28歳・韓国)
早稲田大学大学院 博士後期課程 SiO2薄膜中の点欠陥の光学的手法による同定と点欠陥が電気的特性に与える影響の解明
廬 柱享
ノ ジュヒョン
(31歳・韓国)
大阪大学産業科学研究所大学院
博士課程2年
自己形成量子ドット構造の形成機構の解明と量子ドットレーザ特性向上に関する研究
Harald Pressler
ハラルド プレスラー
(29歳・ドイツ)
電子技術総合研究所 外来研究員 超伝導トンネル接合放射線検出器における非平衡超伝導状態
朴 成唆
パク ソンジュン
(31歳・韓国)
東京工業大学 精密工学研究所 強誘電体ゲートトランジスタを用いた不揮発性メモリの開発と人口ニューロン集積回路への応用
Martin Vacha
マーチン バッハ
(33歳・チェコ)
電子技術総合研究所
材料科学部 STAフェロー
ナノメートルスケール分光検出に向けて極限光物性と新手法開拓の基礎研究
Lim Pang Boey
リム パン ボイ
(29歳・マレーシア)
埼玉大学大学院
博士後期課程
ヘテログラニュラー構造をもつ高抵抗軟磁性薄膜材料のウエット製膜と超高周波マイクロ磁気デバイスへの応用

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